磁気メモリ（MRAM）技術

概要

磁気メモリに関する技術で磁気メモリー素子、その検査・欠陥救済方法、及び不揮発性で安定なMRAMやフラッシュメモリへの応用等についての技術を提供する。US.6166944、US6205047、US.7162660、特開2003-123463　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

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産業界への展開例・適用分野

MRAMやフラッシュメモリへの応用が可能な技術で構造が簡単で大容量の不揮発性メモリ、SSD（Solid State Drive）に好適である。

展示責任者

氏名: 荻野　博幸

所属: 情報学研究科・社会情報学専攻 社会情報モデル講座 情報図書館学分野（田中研）

役職: 准教授