めっきの分子シミュレーションと産業への応用
Molecular Simulation of Electrodeposition and Application to Industries
概要
近年、半導体工学におけるLSI配線が電気銅めっきで作成されるなど、電気化学システムに対する注目が高まっている。本研究では、分子動力学法とモンテカルロ法を組み合わせることにより、化学反応を伴う分子動力学シミュレーション法を開発し、電気めっきにおける薄膜成長過程と添加剤の影響について研究している。 また、動的薄膜成長過程と添加剤の影響について研究している。また、動的モンテカルロ法を用いたシミュレーションにより、ダマシンめっきのビアホール充填における添加剤の効果と最適な埋込みを実現する電析条件についても研究している。 展示では、これらのシミュレーション法とその工学的応用について紹介します。
産業界への展開例・適用分野
分子動力学法とモンテカルロ法の統合手法は、電析反応を伴う系、特に添加剤のミクロな振る舞いの解析に応用できるため、様々な電気化学産業に適用が可能と考えられる。また、動的モンテカルロ法は分子動力学法よりさらに大きな長さスケールのシミュレーションが可能であるため、複雑な基板形状の電析にも適用可能である。現在、ダマシンめっきにおけるビアホール、トレンチの埋め込みの問題に応用し、最適な埋め込み性の研究を行っている。
研究者
| 氏名 | 専攻 | 研究室 | 役職/学年 |
|---|---|---|---|
| 金子 豊 | 複雑系科学専攻 | 非線形力学分野 | 助教 |